非易失性内存喊了很久，但似乎算的上成果并商业化的也就Intel的傲腾，不过，完全做内存也有一些压力。
据外媒报道，三星计划在5月24日的晶圆厂论坛活动中公布全新的magnetoresistive RAM (MRAM，磁阻式随机存储器)。
去年7月，三星联合IBM展示了用于服务器、数据中心的MRAM，速度比闪存快10万倍，而且不丢失数据。
经过数月的研发，三星加入了自旋转矩技术（STT），可以加大降低功耗，从而应用到移动设备上来，也就是手机实现内存、闪存二合一。
这对于内部空间寸土寸金，以便部署大电池或者做轻做薄的手机来说，新的整合技术无疑是福音。
不过，资料显示，磁阻式随机存储器早在十几年前就就有半导体公司研发，比如飞思卡尔，但进展并不快，技术难度依然很高。
